Systematic investigations of transition property of Ti/Au bilayer
赤松 弘規, 塩見 明日香 (量子場計測システム国際拠点), 山本 春海 (NIMS), 金子 大輔 (KEK（量子場計測システム国際拠点）), 神谷 宏治 (NIMS)
Abstract:超伝導遷移端センサーは, 超伝導体の抵抗がごく狭い温度領域で急変する性質を用いた超高感度検出器である. 広く用いられる二層薄膜では, 膜厚比と界面の状態が近接効果を通じて臨界温度Tc と遷移の鋭さを左右する. これまでにアニーリングに伴う拡散でTc が低下することは確認されている一方, 界面透明度γBの寄与が独立には測られておらず, より良い性能の実現, 再現性確保のボトルネックとなっている.
本研究は, Ti, Au の厚みスキャンで得たTc?厚み比曲線を近接効果理論と突き合わせて逆問題としてγB を同定し, 拡散起因の厚み変化と切り分けて, 設計可能なTc,α を明らかにすることを目指す.