アルカリ金属ドープフラーレン超伝導バルクの作製と臨界電流密度

Fabrication of Alkali-Metal-Doped Fullerene Superconducting Bulks and Their Critical Current Densities


伊豫 彰 (産総研), 長谷川 弘樹 (東理大), 藤久 裕司, 後藤 義人, 石田 茂之, 永崎 洋, 荻野 拓 (産総研), 村山 真理子, 西尾 太一郎 (東理大), 川島 健司 (イムラ・ジャパン)


Abstract:アルカリ金属(A = K, Rb, Cs)をドープしたフラーレン 超電導体A3C60は、高い転移温度 (33K)、高い上部臨界磁場 (90 T)、および等方的な超伝導特性を有することから、超伝導バルク・線材応用における有望な候補材料である。しかし、従来の合成法では長時間の反応を要し、かつ大量試料や焼結体試料の合成が困難であったため、実用化に向けた研究の障壁となっていた。本講演では、大型バルクへのスケールアップが可能な新しいA3C60の高速合成法を開発したことを報告する。さらに、作製したバルク体の超伝導特性や臨界電流密度の評価結果に基づき、バルク応用への可能性を議論する。