Microstructural analysis of multi-doped BaMO3 artificial pinning centers in YBa2Cu3Oy coated conductor
矢野 翔太郎, 原 健人 (九大), 松本 明善 (NIMS), 寺西 亮 (九大)
Abstract:YBCO薄膜線材は磁場中特性向上のために人工ピンを膜中に微細かつ高密度に導入することが求められ、溶液法では金属塩を添加しBaMO3(M = Zr, Hfなど)を導入している。人工ピン高密度化のため濃度を増やすと、粗大化及び数密度低下が報告されている。これに対し、複数種類の人工ピンを同時にマルチドープすることで微細かつ高密度な導入を図る手法が存在する。一方、薄膜断面の元素マッピングではBaMO3のM元素の一部重なりが観察されており、実際の存在形態は明らかになっていない。そこで本研究ではマルチドープYBCO薄膜を作製し、断面構造解析により人工ピンの存在形態を明らかにした。得られた知見は、人工ピンのさらなる微細化や高密度化に向けた指針となる。