Doping dependence of critical current density and pinning mechanism in Bi2212 single crystals
石田 茂之 (産総研), 加藤 準一朗 (東京理科大), 中川 駿吾, 柏木 隆成 (筑波大), 東 陽一, 馬渡 康徳, 竹下 直, 吉田 良行, 伊豫 彰, 荻野 拓, 永崎 洋 (産総研), 西尾 太一郎 (東京理科大)
Abstract:銅酸化物高温超伝導体の臨界電流密度Jcは、キャリアドープによる異方性の低下と凝縮エネルギーの増大によりピンニングが増強される過剰ドープ領域において最大化すると考えられている。一方で我々は最近、20K程度以下の低温においてBi2212単結晶のJcが不足ドープ領域と過剰ドープ領域の2か所でピークを示すことを報告した。本研究ではJcの磁場・温度依存性の解析により、ピンニング機構および欠陥密度のドープ量による変化を調べた。解析結果に基づき、Bi2212単結晶のJcの特異なドープ量依存性の起源について議論する。