In-field characteristics of BaZrO3-doped YBa2Cu3Oy tapes fabricated at different deposition rates by varying the substrate-to-target distance.
遠藤 啓太, 伊藤 駿汰 (名大), 一瀬 中 (電中研), 堀出 朋哉, 吉田 隆 (名大)
Abstract:REBa2Cu3Oy(REBCO)線材の実用化には、高速成膜と優れた磁場中特性の両立が必須である。REBCOやBMO材料の成長では成長速度論の理解と制御が重要である。本研究では、成膜パラメータの1つであるターゲット・基板間距離(d_t-s)を制御し、PLD法における1パルスあたりの堆積量の変化が高速成膜中における結晶成長に与える影響を検討した。d_t-sは35-50mmで変化させ、d_t-sの増加によってc軸長の伸長や組成の乖離が確認された。また、臨界電流密度の磁場印加角度依存性では、d_t-sが小さい試料での顕著なc軸相関ピンの寄与が確認された。以上の結果から、d_t-sはREBCO及びBMOの成長を支配する重要なパラメータである。