Effect of post-annealing to control RE/Ba substitution level for RE doped Y123 thin films prepared by FF-MOD method
畠 直輝, 渡邊 悠希, 元木 貴則, 下山 淳一 (青学大), 吉原 健彦, 本田 元気, 小林 慎一 (住友電工)
Abstract:イオン半径が比較的大きいLa, Nd, EuなどのREを用いたRE123はREがBaサイトに部分置換しやすく、置換量が大きくなると超伝導特性が大きく劣化するが、微量の置換の場合には置換部位近傍が点欠陥的なピン止め中心となり臨界電流特性を改善することから、Y123への中軽希土類の少量ドープによる微量のRE/Ba固溶を狙うことが有効と考えられる。本研究では酸化物を原料として調製したMOD溶液を用いたFF-MOD法により、Y123のYの一部をLa, Nd, Euに置換したY123薄膜を作製した。講演ではこれらの作製条件、微細組織、臨界電流特性について報告する。