The effect of combination of carrier and pinning optimization route on the high-field Jc in TFA-MOD (Y0.77Gd0.23)Ba2Cu3Oy films
大木元 勇貴, 松日楽 琉我, 佐藤 樹, 中岡 晃一, 和泉 輝郎 (成蹊大), 吉田 竜視, 加藤 丈晴 (JFCC), 岡田 達典 (九工大), 羅 珺怡, 土屋 雄司, 淡路 智 (東北大), 三浦 正志 (成蹊大)
Abstract:これまで我々は、TFA-MOD法を用いてREBCO超伝導線材にインコヒーレントBaHfO3ナノ粒子を磁束ピン止め点としてナノサイズ・ナノ間隔に導入することを試み、①ローレンツ力による量子化磁束の運動抑制と②キャリア密度制御による対破壊電流密度(Jd)向上の融合により、自己磁場及び磁場中臨界電流密度(Jc)の向上に成功してきた(NPG Asia Materials 2017, NPG Asia Materials 2022など)。今回我々は、人工ピン止め点・キャリア制御(Y,Gd)BCO+BHO薄膜の、核融合発電で想定されている4.2 K, 20 Tおよび20 K, 20 Tでの特性評価を行った。その結果、人工ピン止め点・キャリア制御により、すべての超伝導材料の中で最も高いJcを達成した。