Enhancement of In-Field Critical Current Density in FF-MOD Gd123 Films by Co-Doping Multiple RE214 Nao-plates Pins
千葉 亮輔, 垂水 聖也 (東京都立大), 石井 涼太 (成蹊大), 尾崎 壽紀 (関西学院大), 三浦 大介 (東京都立大)
Abstract:FF-MOD法Gd123薄膜の磁場中Jc向上を目的に，母材の格子定数と近いRE214（RE=Gd, Sm, Y）人工ピンを複数種共添加した。Gd214/Sm214共添加膜では，Gd123母材の高いc軸結晶配向性を維持し，ピン導人量の増加に伴うRE214のXRDピークのFWHM変化からAPC粗大化の抑制が示唆された。さらにGd214，Sm214，Y214を各1 vol%共添加した薄膜は4.2 K，3 TでJc=3.085 MA/cm²を達成し，無添加膜の約2.2倍，Gd214単独添加膜の約1.7倍となった。Jcの磁場角度依存性，TEM微細組織および母材へのRE置換の可能性も評価し，RE214共添加による磁束ピンニング向上機構を検討する。