Fabrication of MgB2 bulks by the B-rich precursor method with controlled excess boron ratio
野尻 将太, 那須川 雄大, 内田 正和, 徳重 学, 下山 淳一 (青学大), 秋池 良 (東ソー)
Abstract:MgB2多結晶バルクの臨界電流特性は、純度、充填密度と支配的なピンニングサイトである粒界密度で概ね決定される。実用的なJc（~105 A cm-2）を満たす条件の拡大には、粒界の高密度化やBサイトへのへのCドープが有効である。一方、微細なMgB2結晶を含むB-rich前駆体から作製したMgB2バルクが高いJcを示すことを我々は報告してきた。そこで、本研究では前駆体の過剰量、およびCドープB-rich前駆体を用いてMgB2バルクを作製し、磁場中Jcの改善を目指した。講演では合成条件およびCドープ量を系統的に変えて作製したMgB2バルクの超伝導特性ついて報告する。