Synthesis of MgB2 bulks by B-rich precursor method using new fine B
野尻 将太, 那須川 雄大, 内田 正和, 元木 貴則, 下山 淳一 (青学大); 秋池 良, 召田 雅実 (東ソー)
Abstract:MgB2多結晶バルクの臨界電流特性は、純度、充填密度と支配的なピンニングサイトである粒界密度で概ね決定される。実用的なJc（~ 10^5 A / cm^2）を満たす条件の拡大には、粒界の高密度化やBサイトへのへのCドープが有効である。一方、微細なMgB2結晶を含むB-rich前駆体から作製したMgB2バルクが高いJcを示すことを我々は報告してきた。そこで、本研究では従来の微細なB原料に対するアセトン洗浄による不純物除去を行った新規微粒子B原料を用いたB-rich前駆体からMgB2バルクを作製し、磁場中Jcの改善を目指した。講演では合成条件を系統的に変えて作製したMgB2バルクの微細組織、超伝導特性、およびCドープしたB-rich前駆体を用いた効果について報告する。