Synthesis of TiB2 doped MgB2 bulks using new fine B
那須川 雄大, 野尻 将太, 内田 正和, 元木 貴則, 下山 淳一 (青学大); 秋池 良, 召田 雅実 (東ソー)
Abstract:MgB2多結晶バルクの臨界電流特性は、充填密度と支配的なピンニングサイトである粒界密度で概ね決定される。実用的な条件における磁場中Jc改善には粒界の高密度化が有効とされている。本研究では、粒成長の抑制と粒界の高密度化を目的として、TiB?をMgB?バルク作製時に添加し、そのドープ効果を評価した。さらに、開発中の含有酸素量を低減した新規微粒子B原料粉末を用いることによるMgB2バルクの高密度化にも取り組んだ。これらの試料における焼成条件と微細組織、超伝導特性について報告する。