Enhancement of Critical Current Densities by Co-Doping Gd2CuO4-x and Sm2CuO4-x Artificial Pinning Centers in FF-MOD GdBa2Cu3O7-delta Films
垂水 聖也, 石井 涼太, 三浦 大介 (東京都立大)
Abstract:本研究では、FF-MOD法で作製したGdBa2Cu3O7-δ (Gd123)薄膜に、格子定数の異なるGd2CuO4-x (Gd214)とSm2CuO4-x (Sm214)を人工ピンニングセンター (APC) として共添加した。2~4 vol%で比較した結果、c軸配向と結晶性を維持しつつ、共添加によりAPCの粗大化が抑制されることを確認した。3 vol%共添加試料は4.2 K・3 Tで2.603 MA/cm?を示し、非添加試料の約1.9倍、Gd214単独試料の約1.4倍であった。異なる格子定数をもつRE214共添加は、JC向上に有効であることが示された。