Magnetic-field dependence of rectification for REBCO high-temperature superconducting diodes controlled by carrier density
宮川 健吾, 福島 知樹, 坂上 良介, 土屋 雄司, 淡路 智 (東北大)
Abstract:REBCO超伝導ダイオードは宇宙太陽光発電への応用が期待され、臨界電流の非対称性を示す整流率の増大が目標である。整流率を高める手法として表面バリアの制御が挙げられる。LTSでは磁場侵入長が小さいほど表面バリアが強く整流率の増強が期待されるが、磁場侵入長の大きいREBCOに対してそれが適用できるかは未解明である。本研究では、REBCO線において表面バリアと整流率の関係の解明を目的とした。一般的に、超伝導電子密度を増やすと磁場侵入長は小さくなる。そこで、1気圧の酸素雰囲気下でアニール温度を変化させ、酸素欠損量を調整することでキャリア密度を制御し、磁場をテープ面内方向に印加したときの整流率の磁場依存性を測定した。