A15型化合物の主な磁束ピンニング中心は結晶粒界であるが，最近，我々は、交流用に開発した改良型複合加工法V₃Siテープ線材において，超伝導(S)-常伝導(N)界面も実用レベルで重要なピンニング中心になり得ることを，J_cの磁場方位依存性を詳細に調べることにより明らかにした。本研究では，Nb₃Sn（複合加工法），Nb₃Al（変態析出処理及び通常の低温熱処理によるチューブ法），またV₃Ga（複合加工法及び表面拡散法）テープ線材についてもそのピンニング力の磁界方位依存性を測定し，これらのA15型化合物においてもSN界面の寄与が無視できないことを明らかにする。これまでにNb₃SnとV₃Gaでも結晶粒界ピンニングに加えてSN界面ピンニングによると考えられる２種類のJ_cの極大がその角度依存性において観察されている。 特にV₃Gaの場合には，SN界面ピンニングに対応するJ_cの極大ピークがきわめて狭い角度範囲（+-5度）でのみ現れる。しかも，この範囲内では１回目に比べて２回目のI_cの値が数アンペアも高くなる特異現象が観察された。