B1-1
高濃度のPb置換によりBi2212単結晶の臨界電流特性が著しく改善されることを発見した。オ−バ−ド−プ状態の試料はTc直下まで大きな磁化の第２ピ−ク効果を示し、65K以上では鉛イオン照射でcolumnardefectを導入したBi2212単結晶よりJc,不可逆磁場とも優れる。30-40Kの中温域でも通常のBi2212単結晶と比べて数倍のJc,不可逆磁場をもつ。磁化緩和は高温まで極めて遅い。第２ピ−クが温度依存すること、またある磁場ではJcが温度の上昇とともに高くなる領域があることは、本系に温度、磁場誘起型のピンニングセンタ−があることを強く示唆している。