ビスマス系等のバルク超伝導体を用いた磁気遮蔽型超伝導限流器が注目され活発に研究されている。この過程で急速な限流動作が得にくい、理論限流特性に比べ十分な性能が実現できない、さらには繰り返し使用により超伝導体の機械的破損が生じることがある、など基本的に重大な問題が浮き彫りにされた。筆者らは、それらを改善するためにアクテイブ制御方式を提案し、その有効性を明らかにしてきた。今回、アクテイブ制御効果のメカニズムを理論、実験両面から検討し、超伝導体に誘導される遮蔽電流ベクトルによって説明できることを明らかにした。さらに、同理論により試作した限流器の電流抑制特性が説明できることも示した。